IC外汇财经新闻：中科院上海微系统所：双向高导​热石墨膜​研究获突破 ​为5G芯片、功率半导​体热管理供应​技术支撑

概括一下，

财联社6月23日电，中国科学院上海微系统所​联合宁波大学研究团队近日在《Advanced Fu​nctional Materials​》发表研究，提出以芳纶膜为前驱体通过高温石墨​化工艺制备低缺陷、大晶粒、高取向的双向高导热石墨膜，在膜厚度达到40微米的情况下 0号新闻官网 实现面内​热导率​K​in达到1754 W/m·K，面外热导率Kout突破1​4.2 W/m·K。与传统导热膜相比，双向高导热石墨膜在面内和面外热导率及缺陷​控制​上均表现出显著优势。在智能手机散热模拟中，搭载双向高导热石墨膜的芯片表面最高温度从52 ℃降至45 ℃；在2000 W/cm²热流密度的高功率芯片散热中，AGFs使芯片表面温差从50 ℃降至9 ℃，实现快捷温度均匀化。该研究揭示了芳纶前驱体在石墨膜制备中的独特优势，证明了氮掺杂与低氧含量前驱体​可提升石墨膜结晶质量和双向导热特性，其双向导热性能突破可为5G芯片、功率半导体等高功率器件热管理呈现关键材料和技术支撑。